Modul Power Semiconductor Device používajúci zariadenia na báze karbidu kremíka pre relatívne vysokofrekvenčné aplikácie motorového pohonu s rýchlosťou približne 100 kW

ID: JTI-CS2-2019-CfP10-SYS-03-24

Stručný popis výzvy

Výsledkom tohto CfP bude práca na vývoji modulu výkonového elektronického zariadenia SiC pre viacstupňový výkonový menič s výkonom 100 kW. Dizajn umožní minimalizáciu hmotnosti a objemu meniča, ako aj umožnenie funkčnosti, čo vyžaduje inováciu a prijatie technológie pre výrobu. Pozrite si dokument s úplnými opismi tém, ktorý bol uverejnený v tejto výzve. Modul Power Semiconductor Device používa zariadenia s karbidom kremíka pre aplikácie s relatívne vysokou frekvenciou, približne 100 kW, pre motorové pohony lietadiel.

Informácia pre prijímateľa

Dátum
uzávierky
03/09/2019
Výška
alokácie
59 450 000 €
Program
Horizon Europe
Stav
uzavretá